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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2442
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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