RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2821
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link