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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2387
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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