RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En -154% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3124
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link