RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
66
En -247% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3521
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link