RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
66
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3126
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link