RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
66
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
52
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2182
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link