RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
66
En -120% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3119
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link