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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
66
En -47% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3233
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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