RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2665
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link