RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2781
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link