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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
66
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
61
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
1813
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
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