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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
1839
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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