RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
66
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2036
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link