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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2792
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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