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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
59
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2656
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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