RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3257
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link