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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3257
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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