Comparaison de la RAM Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Note globale

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 42

Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.7 11.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.9 9.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 14200

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2432 3273

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns