RAM-Vergleich Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Gesamtnote

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 42

Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.7 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.9 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 14200

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2432 3273

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns