Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 42
    Wokół strony -45% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 11.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.9 left arrow 9.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 14200
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.5 left arrow 16.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 12.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2432 left arrow 3273
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania