RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14200
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
21300
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
3273
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link