RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
1900
En 3.37% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
59
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
1900
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2387
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link