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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
1900
Autour de 3.37% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
59
Autour de -31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
45
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
1900
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2387
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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