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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
59
En -74% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2616
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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