RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
59
Intorno -74% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
34
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2616
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link