Comparación de la memoria RAM SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Puntuación global

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

59 61

En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,076.1 1,728.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

741 575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns