Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

59 61

Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,076.1 1,728.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

6400 5300

Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

741 575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns