RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
59
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
56
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link