SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    56 left arrow 59
    Intorno -5% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.7 left arrow 2,076.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 56
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,723.5 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,076.1 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    741 left arrow 2200
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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