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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
59
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
1660
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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