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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
59
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
44
读取速度,GB/s
4,723.5
8.5
写入速度,GB/s
2,076.1
5.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
1660
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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