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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
59
En -28% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2936
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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