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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
59
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
46
读取速度,GB/s
4,723.5
15.9
写入速度,GB/s
2,076.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2936
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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