RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2807
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link