RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
68
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,013.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2179
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link