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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
68
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,013.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2393
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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