RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
68
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
2641
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link