RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En -107% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
29
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3728
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link