RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2503
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link