RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En -122% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3158
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link