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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
60
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2354
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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