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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
60
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2386
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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