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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
60
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2761
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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