RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
60
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
45
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2142
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link