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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
60
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
38
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2283
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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