RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
44
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
31
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3222
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link