RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
44
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
19
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3066
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link