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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3666
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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