RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
61
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
61
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2025
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link