RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3546
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link